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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管及制造工艺-CN201410742686.1有效
发明人：刘溪;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管，通过U形隧穿绝缘层用于产生栅电极隧穿电流，并利用隧穿绝缘层阻抗与隧穿绝缘层内电场强度之间极为敏感的相互关系，使U形隧穿绝缘层在栅电极极短的电势变化区间内实现高阻态和低阻态之间的转换，对比现有技术可实现更好的开关特性；并通过双极放大明显改善了纳米级绝缘栅晶体管的正向导通特性，本发明还提出具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管的具体制造方法。
具有形隧穿绝缘栅隧穿双极晶体管制造工艺

[发明专利]一种刻蚀方法-CN201911382651.0在审
发明人：杨美音;高建峰;罗军;崔岩;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本申请提供一种刻蚀方法，在衬底上从下至上可以依次形成底层电极膜层、固定磁性膜层、隧穿绝缘膜层、自由磁性膜层和顶层电极膜层，分别对顶层电极膜层、自由磁性膜层和隧穿绝缘膜层进行刻蚀，形成顶层电极层、自由磁性层和隧穿绝缘层的堆叠层，在堆叠层的侧壁形成侧墙，侧墙可以在对固定磁性膜层进行刻蚀形成固定磁性层的过程中保护堆叠层。也就是说，在进行固定磁性模层的刻蚀时，隧穿绝缘层的侧壁已经形成有侧墙，因此不会有金属飞溅到隧穿绝缘层的侧壁上，也不会对隧穿绝缘层造成刻蚀损伤，保证了隧穿绝缘层的结构完整性和功能完整性，因此提高了器件的可靠性
一种刻蚀方法

[发明专利]在非易失存储器件中形成隧穿绝缘层的方法-CN200510082046.3无效
发明人：朴元虎;柳泰光;金炅焕;金洸兑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：提供了一种形成隧穿绝缘层的方法，由所述方法形成的隧穿绝缘层的尺寸小于通过光刻工艺的分辨率得到的尺寸。所述方法包括的步骤有：在衬底上形成第一绝缘层和第二绝缘层；形成可再次流动的材料层图案，并使之再次流动；去除第二绝缘层和第一绝缘层，以暴露所述衬底；以及形成隧穿绝缘层。
非易失存储器件形成绝缘方法

[发明专利]光电探测器及其制备方法-CN202111537393.6在审
发明人：刘晓海;姜天昊 -专利权人：欧梯恩智能科技(苏州)有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供一种光电探测器及其制备方法，本申请中的光电探测器包括复合衬底、电荷捕获层、隧穿绝缘层、半导体沟道、源极和漏极。其中，复合衬底包括栅极及栅极绝缘层，栅极绝缘层设于栅极上表面；电荷捕获层设于栅极绝缘层上表面；隧穿绝缘层设于电荷捕获层上表面；半导体沟道设于隧穿绝缘层上表面；源极设于隧穿绝缘层上表面；漏极设于隧穿绝缘层上表面；源极及漏极分别位于半导体沟道两侧；电荷捕获层包括多个纳米颗粒。本申请中利用电荷捕获层中的电子对光生空穴进行填补，极大地降低了光生电子空穴的复合概率，提高了光电探测器的灵敏度，从而保证了光电探测器的探测性能。
光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器-CN201910496288.9在审
发明人：沈来川;周艳;夏静;张溪超;赵国平 -专利权人：深圳市思品科技有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘，在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层，在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层；在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。
反铁磁隧穿绝缘层纳米盘斯格微波振荡器固定层金属层自由层承载输出振荡信号垂直穿过极化电流振荡频率振荡器极化覆盖

[实用新型]一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器-CN201920860939.3有效
发明人：沈来川;周艳;夏静;张溪超;赵国平 -专利权人：深圳市思品科技有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘，在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层，在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层；在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。
隧穿绝缘层反铁磁纳米盘斯格本实用新型微波振荡器固定层金属层自由层承载输出振荡信号垂直穿过极化电流振荡频率振荡器极化覆盖

[发明专利]磁隧道结、其制作方法及含磁隧道结的存储单元-CN201110233379.7有效
发明人：季明华;韩秀峰;于国强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结，包括材质为非磁性材料的穿隧绝缘层、设置于所述穿隧绝缘层一侧的固定铁磁层、设置于所述穿隧绝缘层另一侧的自由铁磁层；所述自由铁磁层沿各层排列方向伸长的边线、所述边线与穿隧绝缘层形成的凸角分别与所述固定铁磁层沿各层排列方向伸长的边线、固定铁磁层的所述边线与穿隧绝缘层形成的凸角呈错位设置。采用本发明的磁隧道结及含此磁隧道结的存储单元，可以避免磁隧道结发生泄漏电流、绝缘层低击穿电压等问题，以及避免这些问题导致的磁隧道结过早被击穿。
隧道制作方法存储单元

[发明专利]非易失性存储元件的操作方法-CN200910006263.2有效
发明人：吕函庭;赖二琨;王嗣裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：此存储元件包括衬底、栅极、绝缘层、一电荷储存层与多层穿隧介电结构。衬底具有二源/漏极区，通过沟道区分隔。栅极，设置于衬底上。绝缘层设置于该沟道区上。电荷储存层，设置于绝缘层上。多层穿隧介电结构设置于电荷储存层和栅极之间。通过施加负偏压于栅极，使多个第一型载子自栅极经由多层穿隧介电结构穿隧进入电荷储存层，且通过施加正向偏压于栅极，使多个第二型载子自栅极经由多层穿隧介电结构栅极穿隧进入电荷储存层。
非易失性存储元件操作方法

[发明专利]一种浮栅存储器及其制备方法-CN201710307191.X在审
发明人：许毅胜;熊涛;刘钊;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种浮栅存储器及其制备方法，该浮栅存储器包括：衬底；形成在所述衬底上的多个凹槽；形成所述凹槽内的隔离绝缘层，所述衬底的上表面高度高于所述隔离绝缘层的上表面，以形成衬底凸起；形成在所述衬底凸起上方的隧穿氧化层，所述隧穿氧化层延伸在所述隔离绝缘层上方；形成在所述隧穿氧化层上方的浮栅，所述浮栅覆盖所述隧穿氧化层；形成在所述浮栅上方的层间绝缘层，所述层间绝缘层延伸至所述隧穿氧化层上方；覆盖在所述层间绝缘层上方的控制栅
浮栅存储器隧穿氧化层衬底层间绝缘层隔离绝缘层浮栅制备上表面减小凸起短沟道效应沟道图形凸起结构控制栅延伸覆盖沟道三维制作

[实用新型]一种浮栅存储器-CN201720485135.0有效
发明人：许毅胜;熊涛;刘钊;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种浮栅存储器，该浮栅存储器包括衬底；形成在所述衬底上的多个凹槽；形成所述凹槽内的隔离绝缘层，所述衬底的上表面高度高于所述隔离绝缘层的上表面，以形成衬底凸起；形成在所述衬底凸起上方的隧穿氧化层，所述隧穿氧化层延伸在所述隔离绝缘层上方；形成在所述隧穿氧化层上方的浮栅，所述浮栅覆盖所述隧穿氧化层；形成在所述浮栅上方的层间绝缘层，所述层间绝缘层延伸至所述隧穿氧化层上方；覆盖在所述层间绝缘层上方的控制栅
一种存储器

[发明专利]穿隧式磁阻传感器-CN201110346438.1有效
发明人：李乾铭;陈光镜;刘富台 -专利权人：宇能电科技股份有限公司
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种穿隧式磁阻传感器，包括基板、绝缘层、电极阵列以及穿隧磁阻元件。绝缘层是配置于基板上方，并具有多个开口。电极阵列包括多个电极，且这些电极是彼此间隔地排列在绝缘层中，而各个开口分别暴露出其所对应的电极。穿隧磁阻元件则是配置在电极阵列上方，并电性连接至此电极阵列。此穿隧式磁阻传感器为平面穿隧式磁阻传感器，也就是说其仅需形成单层电极与穿隧磁阻元件电性连接，具有简化制程与节省成本的优点。
穿隧式磁阻传感器

[发明专利]具有集成电路元件的半导体结构及其形成和操作的方法-CN200810190331.0有效
发明人：吕函庭;赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明揭露一种集成电路元件，包含薄膜晶体管，叠层阵列，且在无接面的NAND组态下采用带隙工程隧穿层。所述集成电路元件包含通道区域，被形成于绝缘层上的半导体主体内；隧穿介电结构，被置于该通道区域上，且隧穿介电结构包含多层结构，又该多层结构包含至少一具有空穴隧穿能障高度层，而该空穴隧穿能障高度小于该层与该通道区域间的界面的空穴隧穿能障高度；电荷储存层，被放置于该隧穿介电结构上；绝缘层，被放置于该电荷储存层上；以及栅极电极，被放置于该绝缘层上。
具有集成电路元件半导体结构及其形成操作方法

[发明专利]半导体存储器件、其制造方法以及采用该半导体存储器件的装置-CN200810004460.6无效
发明人：曹秉奎;李世薰;朴奎燦;李忠浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-30 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：在一个实施例中，半导体存储器件包括具有突起部分的半导体衬底、在至少一个突起的半导体衬底部分上面形成的隧穿绝缘层以及设置在该隧穿绝缘层上面的浮栅结构。浮栅结构的上部宽于浮栅结构的下部，并且浮栅结构的下部宽度小于隧穿绝缘层的宽度。第一绝缘层部分形成在半导体衬底中并从半导体衬底突起，以使浮栅结构设置在突起的第一绝缘层部分之间。介电层形成在第一绝缘层部分和浮栅结构上方，且控制栅形成在介电层上方。
半导体存储器件制造方法以及采用装置

[发明专利]穿隧效应元件及物理量/电气量转换器-CN200610067044.1有效
发明人：桑岛哲哉;太田尚城 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： G01L9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种不受因下部电极和上部电极的热膨胀系数差异而造成的漂移的影响、并且不易受来自外来磁场的影响的具有通用性的穿隧效应元件。所公开穿隧效应元件(1)具有：形成有穿隧势垒的绝缘层(11)；形成于绝缘层(11)下面的具有导电性的下部电极(12)；形成于绝缘层(11)上面的具有导电性的上部电极(13)；形成于绝缘层(11)、下部电极(12)和上部电极(13)周围，把检测对象物的举动传递给绝缘层(11)的传递部件(5)。
效应元件物理量气量转换器

[发明专利]非挥发性记忆元件的操作方法-CN200610090051.3有效
发明人：吕函庭;赖二琨;王嗣裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：记忆单元具有半导体基底、堆叠层以及设置于基底表面下、且以通道区分隔的源极与汲极区。堆叠层包括绝缘层、电荷储存层、多层穿隧介电结构以及闸极。绝缘层设置于通道区上。电荷储存层设置于绝缘层上。多层穿隧介电结构设置于电荷储存层上。闸极则设置于多层穿隧介电结构上。在闸极施加负偏压，藉由－FN穿隧机制，使电子从记忆单元的闸极经由多层穿隧介电结构注入于电荷储存层，造成记忆单元的启始电压上升。于闸极施加一正偏压，藉由+FN穿隧机制，使电洞从该记忆单元的该闸极经由该多层穿隧介电结构注入于该电荷储存层，造成该记忆单元的启始电压下降。
挥发性记忆元件操作方法

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